939年，公司的德国闻名物理学家肖特基（Schottky）宣布了“关于晶体整流器的空间电荷和外表层实际的量化表明”，奠基了肖特基势垒二极管的实际底子。

1955年，公司创造了三氯硅烷复原法制取高纯多晶硅以及由此开展起来的区熔提纯单晶硅，即闻名的法和厥后的改进法。区熔单晶硅法（FZ）仍旧是如今功率半导体质料的次要消费办法。

1964年，公司创造了螺栓型内压接式布局制造硅电力半导体器件，又于1965年创造了平板式外压接布局，即平板式晶闸管、电力二极管布局。

1973年，起首接纳中子嬗变掺杂单晶硅，使晶闸管（SCR）的功能目标大幅度进步。

1980年，在功率MOSFET方面推出SIPMOS专利，占据较大的环球市场份额。

1988年，率先推出通明阳崭新布局NPT-IGBT，由于具有高牢靠、低本钱、类MOS特征，影响力大，敏捷确定了其IGBT国际尺度假名称。

1990年，电力半导体部分（1949年景立）和德国AEG电力半导体部分（1947年景立），各占50%股份兼并建立闻名的EUPEC公司，专业消费大功率电力半导体器件。

1994年，EUPEC推出EconoPACKTM IGBT模块系列，建立了如今EconoPACK（六单位），EconoPIM（整流桥+七单位）IGBT模块封装的尺度。

1995年，EUPEC率先推出3300V IGBT高压模块（IHV）。

1996年，EUPEC推出环球第一个贸易化的8000V光触发晶闸管（LTT），现在仍旧是环球独一能提供贸易化LTT的厂家。

1998年，半导体打破了功率MOSFET的开展极限，推出了CoolMOSTM创造专利，高压功率MOS其漂移区Rds(on)局部大幅度低落，英飞凌CoolMOS是高压（≥500V）功率MOSFET开展史上的一个里程碑。

1998年，英飞凌同时推出沟槽栅的高压（≤150V）功率MOSFET，即OptiMOSTM，大幅度低落了沟道局部的Rds(on)。Rds(on)低是英飞凌功率MOSFET的中心竞争力。

1999年，EUPEC率先推出6500V IGBT模块。

1999年，半导体团体独立上市，构成英飞凌科技公司。

2000年，英飞凌推出沟槽栅+场停止技能，即Trench StopTM IGBT3芯片，它是当今两种先辈的IGBT芯片消费技能的出色组合。